真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。温度1500 ℃，升温速率200℃/Second。

真空快速退火炉AS-One

AS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。

可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。

温度1500 ℃，升温速率200℃/Second。

全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。

应用：

• RTA（快速热退火）

• RTO（快速热氧化）

• 欧姆接触退火

• 植入退火

• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD

• 硒化，硫化

• 结晶和致密化

产品特点：

1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；

2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；

3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；

冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；

4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；

5、快速数字PID控温；

6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；

7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；

8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；

9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；

10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；

11、可选配分子泵，用于高真空测试；

产品标准配置及规格参数：

1、样品尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；

2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选）

            AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）

3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ；

            AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；

4、温度控制：快速数字PID控制；

5、热电偶：2个K型热电偶；

6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；

7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；

8、工艺气体气路配质量流量计；

9、配置真空泵及真空规；