SAL-3000 ALD原子层沉积系统SAL3000是一款适用于研究型的ALD原子层沉积设备，该设备最多可搭载6路前驱体，适用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的镀膜。

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。

系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。

PICOSUN拥有30多年在芬兰ALD反应器制造而得到的专业技术。Tuomo Suntola博士，于1974年发明了ALD技术，是PICOSUN董事会的成员。我们的技术官SVEN LINDFORS从1975年开始连续的设计ALD系统。综合起来讲，PICOSUN拥有了200多年的ALD经验并贡献了100多项ALD。我们悠久的历史和广泛的背景使PICOSUN成为ALD技术优质的合作伙伴。技术参

NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供的薄膜性能。