电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…

技术参数：
1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；

2. 极限真空度：≤5×10-7托；

3. 电子枪功率： 6千瓦可调；

4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；

5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；

6. 膜厚度误差 ≤±5%，膜厚均匀性误差 ≤±5% 。

主要特点：
1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。

2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。

3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。

4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。